炒股就看金麒麟分析师研报,权威 ,专业,及时,全面 ,助您挖掘潜力主题机会!

6月25日,台积电在上海国际会议中心举办“2026年中国技术论坛”(闭门会),向客户和合作伙伴分享其最新技术研发进展与行业洞察,显示全球半导体产业的高增长确定无疑。

业内人士认为 ,台积电本次闭门会再度坚定了业界的AI信仰,其晶圆制造和先进封装扩产,具有产业发展趋势风向标意义 。随着晶圆厂和封装厂次第加入到扩产序列 ,半导体设备和材料商,将率先受益于AI带来的本轮扩产大潮。

今年产业突破1万亿美元大关
面对AI爆发式增长,台积电预计 ,全球半导体市场将在今年突破1万亿美元,并在2030年达到1.5万亿美元。
台积电认为,需求主要来自高性能计算(HPC)和AI领域 ,占整体市场的55%;其次,智能手机需求约占20%,汽车与物联网需求则各占约10% 。
先进制程技术按计划推进
作为全球晶圆代工“一哥 ” ,台积电的先进制程产能持续供不应求。
在本次闭门会上,台积电表示,N2(2纳米半导体制造工艺)已于2025年第四季度进入量产。2纳米家族创新方面,N2P按计划于2026年下半年投入量产;搭载超级电轨的A16预计于2026年下半年生产就绪;N2X与N2U将分别计划于2027年和2028年量产。
在2纳米之后的下一代晶体管架构上 ,台积电继续创新 。
台积电表示,晶体管架构已从平面结构演进至FinFET,目前正进一步迈向纳米片结构。在纳米片之后 ,垂直堆叠的nFET与pFET,即互补场效应晶体管技术(CFET),有望成为未来的微缩候选方案。
近期 ,台积电展示了全球最小的可运行6TSRAM存储单元,相比采用相近设计规则的传统纳米片设计,其占用面积(footprints)缩小约30% 。
先进封装和系统集成持续创新
台积电表示 ,CoWoS先进封装技术是AI训练和推理的关键推动力。
今年,台积电宣布全球最大的5.5倍光罩尺寸CoWoS已进入量产,良率超过98%。
台积电表示 ,未来五年,CoWoS技术将逐年迭代并扩大尺寸,以整合更多逻辑和HBM晶粒 。
其中,可整合20个HBM的14倍光罩尺寸CoWoS将于2028年量产;可整合24个HBM、超过14倍光罩尺寸的版本预计于2029年准备就绪。
在创新的系统级晶圆(TSMC-SoW™)异构集成技术上 ,台积电可将中介层尺寸扩展至超过40倍光罩尺寸,支持多达64个HBM和16个运算芯片的集成,并为实现完整的系统整合提供极佳的替代平台。
其中 ,用于逻辑晶粒整合的SoW-P自2024年起开始量产;更先进的SoW-X技术可整合逻辑与HBM晶粒,预计于2029年就绪 。
相比采用2.5D互连的CoWoS,具备3D互连的SoIC先进封装技术 ,可提供56倍的互连密度和5倍的功耗效率。SoIC技术将持续微缩,计划于2028年实现6μm键合间距的N2对N2堆叠量产,并于2029年实现4.5μm键合间距的A14对A14堆叠。
加速扩产
为满足客户对AI和HPC的强劲需求 ,台积电表示将持续加快扩产 。
从2017年至2024年,台积电平均每年建设4座新的晶圆厂。2026年,台积电计划新建9座厂区。
台积电表示 ,2022年至2026年,客户对AI加速器(AI accelerator)的需求量增长了11倍,对大晶粒芯片晶圆(large die wafer)需求增长6倍。
台积电也正积极扩充CoWoS和SoIC产能,计划2022年至2027年年复合增长率将超过80% ,以满足强劲的AI应用需求 。
传递三大核心信息
半导体业内人士认为,台积电本次技术论坛,传递出三大核心信息 ,其产业链投资机遇值得关注。
一 、破除AI泡沫论。AI需求增长更快,台积电原有的扩产步伐已经满足不了市场需求 。
台积电计划,2026年至2028年N2/A16先进工艺产能年复合增速达70%;2022年至2027年 ,N3、N5成熟先进制程产能年增长25%;N2首年晶圆产出量较N3同期高出45%。
二、先进封装是未来5—10年的核心增长赛道,与华为“韬定律”所看到的市场需求“不谋而合”。
台积电计划,CoWoS 、SoIC先进封装产能2022年至2027年年复合增速超80% 。
市场调研机构Yole分析师赵灿此前在演讲中表示 ,2025年全球先进封装的市场为540亿美元,预计到2031年将增长到1090亿美元,实现规模翻倍。其中 ,2.5D/3D封装将成为增长主力,核心驱动力则来自AI产业高速发展。
三、半导体设备、材料商,率先受益于晶圆制造、先进封装扩产 。
先进制程产能扩张,半导体前道八大设备商(光刻机 、刻蚀机、薄膜沉积设备、离子注入机 、化学机械抛光设备、清洗设备、前道检测与量测设备)将受益。
在先进封装方面 ,玻璃基板处理 、光阻涂布、曝光、镀铜 、研磨、贴片、模封 、检测及分选等九大环节,相关半导体设备与材料商将受益。
作者:李兴彩